2nm以下芯片倒计时！ASML官宣最强光刻机即将出货首批芯片

5月20日消息，下芯ASML CEO傅恪礼近日正式宣布，片倒批芯片首批采用新一代高数值孔径（High-NA）EUV光刻机制造的计时机即将出芯片产品将在未来数月内问世，覆盖逻辑芯片与存储芯片两大核心领域。官宣光刻

傅恪礼指出，最强High-NA EUV光刻机作为面向2nm以下先进制程的货首核心图形化设备，可以降低顶尖芯片的下芯电路光刻成型成本，同时适配AI芯片、片倒批芯片HBM/DRAM等高端存储芯片的计时机即将出制造需求。

他强调，官宣光刻尽管设备初期投入高昂，最强但设计初衷正是货首随着技术成熟与规模化应用，逐步摊薄单颗芯片的下芯光刻成本。

这套设备的片倒批芯片价格非常昂贵。就在数周前，计时机即将出ASML最大客户台积电曾公开表示，单台High-NA EUV光刻机造价高达4亿美元，约为现有EUV设备的两倍，暂不具备大规模采用的条件。

相比之下，英特尔则积极采购High-NA EUV光刻机，并已在波特兰工厂完成两台High-NA EUV光刻机的安装，累计处理超过3万片晶圆，目标是在2027至2028年实现14A制程大规模量产。

据悉，SK海力士也明确表示计划采用该新技术，预计今年首次导入，用于下一代DRAM内存的生产。

相较于传统EUV，High-NA通过提升光学系统分辨率，可实现尺寸缩小高达66%的特征，相当于相机对焦更为精准，是突破先进制程物理极限的关键技术。